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产品[半导体硅片抛光剂]资料
如果您对该产品感兴趣的话,可以
产品名称:
半导体硅片抛光剂
产品型号:
另议
产品展商:
防盗标签、sensormatic、checkpoint、EASlabel、条码碳带、条码打印机、珠海防盗系统、条码扫描枪
简单介绍
本系列产品适应半导体材料如硅片，锗单晶片，砷化镓晶片的表面抛光工艺，具有去除速率高、使用方便、抛光效果好等特点。抛光后晶片表面的粗糙度可以达到0.2nm以下，同时可以提高晶片的粗糙度和平行度等，而且无划伤，无抛光雾。本公司在为用户提供高质量产品的同时，又降低了加工成本，本系列产品是替代进口产品的最佳选择
半导体硅片抛光剂的详细介绍
1. 特点 ² 去除速率高：硅片的单位去除速率可以达到0.8-1.5um/min，降低抛光工艺所需要的时间，提高生产效率 ² 使用方便：本抛光液适用于通用的抛光工艺， ² 抛光效果好：抛光表面粗糙度好无划伤，不会出现抛光雾。 2. 使用范围及参数 本系列产品适用于直拉、区熔单晶硅，直径φ76-150mm的原始硅片、掺杂硅片的单面双面的抛光；以及其它半导体材料如锗片，砷化镓片等抛光工艺（需要添加抛光助剂）；同时还适用于光学晶体材料如铌酸锂的抛光工艺。 项目 型号 | SiO2含量 | pH | 平均粒径/nm | 稀释倍数 | 主要用途 | P2100 | 21-25% | 11.0-12.0 | 50-80 | 10-15 | 硅片减薄、一次抛光 | P3015 | 28-32% | 11.5-12.5 | 40-70 | 15 | 硅片抛光 | P4025 | 34-36% | 11.5-12.5 | 40-70 | 25 | 硅片抛光 | P5020 | 38-42% | 11.5-12.5 | 30-60 | 20-25 | 硅片抛光 | P6010 | 9-11% | 9.5-10.5 | 30-50 | 10-15 | 硅片二次抛光 |
3. 使用工艺 要技术参数：抛光压力150～250g/cm2
抛光温度 ： 30～45℃
抛光时间 ： 15～30min 4.
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